前沿科技之用于集成電路的先進電鍍銅化學品

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巴斯夫（BASF）創造出一種先進的電鍍銅化學品，可滿足現今及未來芯片科技的需求。巴斯夫與IBM 于2007 年6月開始這一聯合開發項目，這項創新的化學品解決方案是其直接成果。這種解決方案的表現超越了市場上現有的其它化學品；賦予電化學沉積銅工藝迅速、無缺陷的超填孔 (superfill) 能力，以制造更可靠、更優質的芯片。
: d! m1 V( x4 C/ m4 U# p5 \( X' [6 }實現無缺陷的電導線沉積是成功沉積銅工藝最關鍵的條件。在電鍍銅沉積工藝中，傳統的等向性充填(conformal fill)會在形體的上、下、外
! Y$ F0 t, o- f5 [! z; n圍產生同樣的銅沉積率，形成接縫及缺陷。通過采用巴斯夫的化學品可以實現快速的充填，一般稱為“超填孔(superfill)”，可以將銅快速的充填至細小的通孔及溝槽，制造出無缺陷的銅導線。通過超填充的方式，底部的銅沉積率會比頂部及外圍更高。
銅導線可顯著改善芯片效能，這種高傳導性金屬的沉積是建構多層互連結構的關鍵性工藝。時下最先進的芯片技術被稱為32 納米技術節點，而下一代的22 納米技術預期將于2011 年推出。當芯片尺寸越來越小，互連結構日趨復雜，要制造出高性能的芯片就更需要專門的化學知識。同時，純熟完善的化學工藝解決方案也是必不可少的。
4 B. n. I, J: A# y4 z" w巴斯夫的電鍍銅化學品已經可以應用在 32 納米和22 納米的芯片技術中，能明顯改善芯片銅導線的可靠性，提升芯片的性能和質量。
兩家公司正擴展他們的合作計劃，以確定量產所需的參數。相關的技術、化學品和材料預計可于 2010 年中期上市供應。
巴斯夫全球電子材料業務部研發部門的資深經理兼該項目負責人Dieter Mayer 表示：“我們為這一創新的化學品感到興奮無比。巴斯 夫與IBM
團隊選擇了一種新的方式，通過對于沉積銅物理特性的了解來設計分子添加劑系統。利用巴斯夫與IBM 強大的資源，我們已經克服了在電鍍銅方面的主要挑戰，朝著制造更小、更快、更可靠芯片的目標又邁進了一步。”

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22納米沒有隧穿效應的制約了么？？