中科院光電所激光工程中心研制成功高消光比雙電光開關

寂靜天花板

近日，基于自由電子激光器的應用需求，中科院光電研究所激光工程中心研發了一套高消光比雙電光驅動開關系統。相關技術也已獲得國家發明專利。該高消光比雙電光驅動開關系統采用半波電壓較低的RTP晶體作為電光開關，實現的技術指標如下：
1)脈沖上升沿及下降沿小于10ns；

2)脈沖寬度：10μs-1ms可調，脈寬抖動＜10 ns；

3)重復頻率1Hz-1kHz可調；

4)驅動高壓從1200V~2000V可調，計算機顯示和控制；

5)消光比大于2000:1。

        高消光比電光驅動開關技術因具有開關速度快、開關徹底和口徑大等特點，在調Q激光器、超快激光器的研究領域中得到廣泛的應用。目前電光Q開關驅動源已經成功應用在立體平板印刷術、硬盤電阻微調、存儲修復、通孔修復、通孔打鉆、印刷電路板制作、晶片雕刻等方面。

        此技術由麻云鳳副研究員團隊研發。